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=== 取典型参数（近似）： ===
* εs(Si)≈11.7ε0\varepsilon_s(\text{Si})\approx 11.7\varepsilon_0εs(Si)≈11.7ε0，ε0=8.854×10−12\varepsilon_0=8.854\times10^{-12}ε0=8.854×10−12 F/m。
* 取内建势 Vbi≈0.7V_{bi}\approx 0.7Vbi≈0.7 eV（说明性，实际依材料和金属不同）。
* 使用耗尽宽度公式，掺杂用 cm⁻³ 单位输入（计算中转换为 m⁻³）。

计算结果（耗尽宽度 WWW）：
* ND=1016 cm−3N_D=10^{16}\ \text{cm}^{-3}ND=1016 cm−3 → W≈300W\approx 300W≈300 nm
* ND=1017 cm−3N_D=10^{17}\ \text{cm}^{-3}ND=1017 cm−3 → W≈95W\approx 95W≈95 nm
* ND=1018 cm−3N_D=10^{18}\ \text{cm}^{-3}ND=1018 cm−3 → W≈30W\approx 30W≈30 nm
* ND=1019 cm−3N_D=10^{19}\ \text{cm}^{-3}ND=1019 cm−3 → W≈9.5W\approx 9.5W≈9.5 nm
* ND=1020 cm−3N_D=10^{20}\ \text{cm}^{-3}ND=1020 cm−3 → W≈3.0W\approx 3.0W≈3.0 nm
* ND=1021 cm−3N_D=10^{21}\ \text{cm}^{-3}ND=1021 cm−3 → W≈0.95W\approx 0.95W≈0.95 nm

物理解读：
* 当 NDN_DND 位于 101610^{16}1016–1018 cm−310^{18}\,\text{cm}^{-3}1018cm−3 区间，W 数十到几百 nm，热激发（TE）明显主导 → 典型肖特基整流行为。
* 要把 W 压到几纳米（使隧穿显著），按上表需要 NDN_DND 接近 1020 cm−310^{20}\,\text{cm}^{-3}1020cm−3 的级别——这非常高（已接近固溶度/金属化或形成金属化合物的浓度）。
* 因此在真实器件中，仅靠均匀掺杂把 W 压到 1–3 nm 是比较困难的，常用的工程手段包括形成高掺杂薄层 (n⁺)、界面化学反应（形成金属硅化物）、界面态导致 Fermi-level 钉扎、或在界面形成强局域场等，来实现有效的“窄势垒/高隧穿率”。