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相关章节：
'' Chapter 5: Metal–Semiconductor Contacts - §5.3 Schottky Barrier Diodes - §5.4 Ohmic Contacts - 附录部分：Thermionic emission, Field emission (FE), Thermionic-field emission (TFE) - 引入 E₀₀ 的定义与判据： E00=qℏ2NDm∗εsE_{00} = \frac{q\hbar}{2}\sqrt{\frac{N_D}{m^{''}\varepsilon_s}}E00=2qℏm∗εsND - 给出 三种输运机制 对应的 I–V 模型： - TE：热发射主导 - TFE：热力场发射 - FE：冷场发射（纯隧穿） - 提供了势垒宽度 WWW 和势垒场强 FFF 的近似公式，并用图表比较何时欧姆接触出现。

👉 优点：
详细推导 + 公式 + 数值例 + 图形 + 应用判据。
👉 这是解释“势垒宽度 vs 高度”关系最权威的版本。

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相关章节：
* Chapter 9: Metal–Semiconductor and Semiconductor Heterojunctions - 重点讲了势垒高度的来源与界面物理意义。 - 对“欧姆 vs 肖特基”的区分给出了直觉图。 - 有一个图直接展示：随着掺杂增加，势垒高度不变但宽度减小，电流由热发射 → 隧穿过渡。 - 引入 E₀₀ 的能量判据（简略于 Sze，但物理讲得更通俗）。

👉 优点： 文字浅显，适合快速建立物理图像。
👉 缺点： 公式推导不如 Sze 完整。

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相关章节：
* Chapter 16: Metal–Semiconductor Contacts - 很系统地讲了耗尽层、势垒调制、隧穿模型。 - 用 WKB 推导隧穿概率，并画出了 TE → TFE → FE 三阶段的转变示意。 - 对“本质区别是势垒宽度，而非势垒高度”有明确说明。

👉 优点： 推导细致、图像丰富。
👉 缺点： 有些符号定义和现代教材略异（但公式物理完全一致）。