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=== Assistant: 非常好，你这个问题问得非常关键——确实，不同教材讲“肖特基接触 vs 欧姆接触”、“势垒高度 vs 宽度”、“隧穿主导条件”的深度差别很大。下面我给你一个按权威程度与深度分层的参考书单，并标出哪些部分系统讲了隧穿主导条件（E₀₀、WKB、… ===
非常好，你这个问题问得非常关键——确实，不同教材讲“肖特基接触 vs 欧姆接触”、“势垒高度 vs 宽度”、“隧穿主导条件”的深度差别很大。下面我给你一个按权威程度与深度分层的参考书单，并标出哪些部分系统讲了隧穿主导条件（E₀₀、WKB、I–V 公式），哪些只是定性描述。

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相关章节：
'' Chapter 5: Metal–Semiconductor Contacts - §5.3 Schottky Barrier Diodes - §5.4 Ohmic Contacts - 附录部分：Thermionic emission, Field emission (FE), Thermionic-field emission (TFE) - 引入 E₀₀ 的定义与判据： E00=qℏ2NDm∗εsE_{00} = \frac{q\hbar}{2}\sqrt{\frac{N_D}{m^{''}\varepsilon_s}}E00=2qℏm∗εsND - 给出 三种输运机制 对应的 I–V 模型： - TE：热发射主导 - TFE：热力场发射 - FE：冷场发射（纯隧穿） - 提供了势垒宽度 WWW 和势垒场强 FFF 的近似公式，并用图表比较何时欧姆接触出现。

👉 优点：
详细推导 + 公式 + 数值例 + 图形 + 应用判据。
👉 这是解释“势垒宽度 vs 高度”关系最权威的版本。

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相关章节：
* Chapter 9: Metal–Semiconductor and Semiconductor Heterojunctions - 重点讲了势垒高度的来源与界面物理意义。 - 对“欧姆 vs 肖特基”的区分给出了直觉图。 - 有一个图直接展示：随着掺杂增加，势垒高度不变但宽度减小，电流由热发射 → 隧穿过渡。 - 引入 E₀₀ 的能量判据（简略于 Sze，但物理讲得更通俗）。

👉 优点： 文字浅显，适合快速建立物理图像。
👉 缺点： 公式推导不如 Sze 完整。

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相关章节：
* Chapter 16: Metal–Semiconductor Contacts - 很系统地讲了耗尽层、势垒调制、隧穿模型。 - 用 WKB 推导隧穿概率，并画出了 TE → TFE → FE 三阶段的转变示意。 - 对“本质区别是势垒宽度，而非势垒高度”有明确说明。

👉 优点： 推导细致、图像丰富。
👉 缺点： 有些符号定义和现代教材略异（但公式物理完全一致）。

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* Section 3.4: Ohmic Contacts and Schottky Barriers
* 图 3.24~3.26 展示了不同掺杂下的能带图、I–V 曲线和接触电阻的变化。
* 没有推导 E00E_{00}E00，但指出高掺杂使 W 变窄 → 隧穿增强 → 欧姆行为。
* 还讲了真实金属/硅界面的 Fermi-level pinning 效应。

👉 优点： 实际设计指导明确。
👉 缺点： 理论简略。

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* 其中关于 tunneling transmission coefficient 的推导比 Sze 严谨，但不直接讲“肖特基 vs 欧姆”。
* 可作为 WKB 穿透概率公式的数学补充。

==== 1. Streetman（快速建立物理直觉） ====
# → Sze & Ng（看完整推导和判据）
# → Pierret（巩固“宽度 vs 高度”理解，练图）
# → Sze & Lee（看工艺层面、如何做成欧姆接触）

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是否希望我帮你整理出 Sze & Ng 这部分的主要公式、关键图对应的页码（PDF 版页码）？我可以给出一份“阅读路线图”，方便你在书里快速找到这些核心内容。