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==== 即便势垒高度很低（例如 0.1 eV），如果半导体掺杂低（W 宽达几十 nm）， ====
电子仍需热激发才能通过势垒 → 仍表现为整流（肖特基）。

相反，即使势垒高（0.7 eV），若掺杂极高（W ≈ 2 nm），电子可直接隧穿 → 线性 I–V（欧姆）。

👉 所以：势垒宽度才是真正决定接触是否“欧姆”的核心因素。